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高電流
イオン注入装置
SHX-Ⅲ / HC
PRODUCTS 製品情報

ITEM INFO

高精度・高品質かつ高いビーム電流
での
極低エネルギーイオン注入を
可能にしたSHXシリーズ

LSIの微細化は、2~3年で一世代の進行が続いており、Logicプラットフォームでは14nmノードが完成するとともに、10nm以下のノードのデバイスが開発される時代に入ってきています。これに伴い、イオン注入に要求される技術も、特に高電流イオン注入装置の分野では「より高精度に」を実現すべく進化を続けています。

当社では、極めて信頼性の高い注入システムを有する「バッチ式高電流装置」に加え、独自のビームコントロール技術によって、注入ダメージと注入分布を制御する「枚葉式高電流装置」SHXシリーズをラインナップし、高精度かつ高品質で、生産性の高いイオン注入技術を提供しています。

SHX-Ⅲは、枚葉式高電流イオン注入装置として、世界で初めてビームスキャンとメカニカルスキャンの組合せを採用し、最先端デバイスの生産に不可欠な飛躍的に高精度な注入と極低エネルギーでの高い生産性を実現しています。高電流装置においてビームをスキャンし、しかも極低エネルギーで高いビーム電流を確保することは従来困難とされていましたが、新開発の大ビーム用静電スキャナ、平行化レンズを始めとする新方式のビームラインによりこれを実現しています。

左右対称なイオンビーム平行化光学系によるビーム走査方向(水平方向)の優れたビーム均質性と、高精度なビームの平行度及びビーム軸とウェハ面の交点を一定に保つウェハ走査機構により、最先端デバイスに要求されるウェハ全面にわたる高い精度の注入均一性を実現しています。

また、静電場と磁場による最終段エネルギーフィルタにより、極低エネルギー注入でもエネルギー汚染の無い高純度かつ十分なビーム電流を確保しています。

POINT

製品の特徴PICK UP

  • 300mmウェハに対応
  • 次世代プロセス(20~22 nmノード)への適用
  • エネルギー範囲 最小:0.2keV / 最大:60keV
  • 量産対応のドリフト並のエネルギーコンタミのない200eV高ビーム電流
  • 高スループットによる低中ドーズにおける高生産性。
  • フットプリントの最小化に寄与するコンパクト設計
  • 他工程によって生じた不均一を補正し、工程全体の生産性・歩留まり向上に寄与するMINDシステム
  • 高信頼性、容易なメンテナンス
  • ウェハ帯電を防止する優れたプラズマシャワーシステム
  • ウェハ全面にわたるビームサイズおよびビーム発散角の均一性、高度のビーム平行度および再現性を実現
  • 独自のエネルギーフィルターを装備し、極低エネルギーにおいてもドリフトモード注入と同等の高いエネルギー純粋性と電流値を確保
  • メタルコンタミネーションおよびクロスコンタミネーションを極小化

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