中電流
イオン注入装置 PRODUCTS 製品情報

ウェハ径300mm / 16-14nmノードの微細化プロセスに対応したデバイス生産ラインでの量産が開始されるとともに、最先端を走るメーカーでは、10nm以下のノードも視野に入れた半導体製造装置の選定も始まっています。

このように微細化されたMOS FETの特性は、チャネル、ドレイン等の不純物分布に極めて敏感に影響され、イオン注入においても、エネルギー、ドーズ、注入角度など、多くのパラメータを高い精度で制御することが不可欠となります。急峻なハローやレトログレードウェルを精度良く形成するために、重イオン（In、Sb）注入の必要性も増すとともに、撮像素子への適用ではメタルコンタミネーションの極小化が求められています。

このような要求に応えるため当社では、広範囲なパラメータを精度良く制御可能にする、使いやすく信頼性の高い中電流イオン注入装置MC3シリーズを提供しています。MC3シリーズは左右対称なイオンビーム平行化光学系により、ビーム走査方向（水平方向）の優れたビーム均質性と高精度なビームの平行度を確保しています。

さらにビーム軸とウェハ面の交点を一定に保つウェハ走査機構も継承し、ウェハ全面にわたる高精度の注入均一性を実現しています。また、静電場による最終段エネルギーフィルタにより、低エネルギー注入でもエネルギー汚染の無い十分なビーム電流を確保しています。

このような優れたMC3の特徴に加え、MC3-Ⅱでは、搬送系の並行動作範囲の拡大などによるメカニカルスループット増大と、ビーム光学系の最適化などによるビーム電流増大によって生産性の大幅な向上を実現しています。