高電流
イオン注入装置 PRODUCTS 製品情報

LSIの微細化は、2～3年で一世代の進行が続いており、Logicプラットフォームでは14nmノードが完成するとともに、10nm以下のノードのデバイスが開発される時代に入ってきています。これに伴い、イオン注入に要求される技術も、特に高電流イオン注入装置の分野では「より高精度に」を実現すべく進化を続けています。

当社では、極めて信頼性の高い注入システムを有する「バッチ式高電流装置」に加え、独自のビームコントロール技術によって、注入ダメージと注入分布を制御する「枚葉式高電流装置」SHXシリーズをラインナップし、高精度かつ高品質で、生産性の高いイオン注入技術を提供しています。

SHX-Ⅲは、枚葉式高電流イオン注入装置として、世界で初めてビームスキャンとメカニカルスキャンの組合せを採用し、最先端デバイスの生産に不可欠な飛躍的に高精度な注入と極低エネルギーでの高い生産性を実現しています。高電流装置においてビームをスキャンし、しかも極低エネルギーで高いビーム電流を確保することは従来困難とされていましたが、新開発の大ビーム用静電スキャナ、平行化レンズを始めとする新方式のビームラインによりこれを実現しています。

左右対称なイオンビーム平行化光学系によるビーム走査方向（水平方向）の優れたビーム均質性と、高精度なビームの平行度及びビーム軸とウェハ面の交点を一定に保つウェハ走査機構により、最先端デバイスに要求されるウェハ全面にわたる高い精度の注入均一性を実現しています。

また、静電場と磁場による最終段エネルギーフィルタにより、極低エネルギー注入でもエネルギー汚染の無い高純度かつ十分なビーム電流を確保しています。