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ナノセカンド
レーザアニーリング装置
LT-3100
PRODUCTS レーザシステム

ITEM INFO

サブマイクロ秒オーダーで
ウェハ最表面のみのメルトアニールを実現

LT-3100は、先端デバイスの熱処理工程で従来課題とされてきた多くの制約を解消するために開発された最新のレーザアニール装置です。独自のUVレーザ技術により、ドーパント活性化、薄膜の結晶化、欠陥修復、表面平滑化、さらには3D実装に向けた処理など、幅広いアプリケーションに最適化された高品質なメルトプロセスを実現します。

温度の急速な上昇・下降は200ns以下という極めて高速なサイクルを達成。さらにステップ&リピート方式を採用することで、ウェーハサイズを問わず、均一で安定したアニール処理が可能です。特に、先端パワーデバイスで用いられる小径ウェーハや厚さ40µm以下の超薄型ウェーハにも容易に対応できる柔軟なプラットフォームが特長です。

また、LT-3100にはレーザプロセスをリアルタイムで監視する高度なモニタリング機能を搭載。プロセスの挙動を詳細に把握しながら、特定アプリケーションの要求に応じた最適な条件設定と生産性向上を可能にします。

さらに、プロセス開発を効率化するための独自ツールを備えており、複数の処理条件を1枚のウェーハにまとめて設定できるため、膨大な実験パターンを短時間で網羅できます。これにより、開発期間およびコストの大幅な削減を実現します。

POINT

製品の特徴PICK UP

  • 超低サーマルバジェット
  • メルトアニールによる高活性化
  • サブマイクロ秒でのアニールプロセス
  • フルデバイス領域のアニール
  • 高スループット
  • 広範囲にわたる応用プロセス

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